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数据记录EDR应用STT-MRAM芯片S3R1016方案

新型存储之MRAM资讯

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发表时间:2023-06-08 15:31作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/

    Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说,这是最理想的内存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。

    Netsol中国区总代理全球芯科技提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。数据始终是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于简化系统设计。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制(LB、UB)访问低位和高位字节。支持异步页面模式功能,以提高读写性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。

    在数据记录应用中,数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。可以记录系统内外部发生的事件;使用历史;环境参数 ;机器状态;用于分析目的的其他数据。因需要持续、反复地保存数据,内存需要快速的写入速度与高耐久性。


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