NETSOL自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的耐久性特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。 Parallel STT-MRAM的容量范围从1Mbit到16Mbit。是一个具有并行异步接口...
Netsol的Parallel STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要快速存储和搜索数据和程序的应用程序来说，这是最理想的内存。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 Netsol中国区总代理全球芯科技提供的S3R1016是容量为1Mbit的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的...
汽车电子随着汽车的电子化，对满足汽车恶劣驾驶环境、快速耐用的非易失性解决方案的需求正在逐渐增加。 MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，最为理想。MRAM的主要优势如下近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数 ）长期数据保存（10 年）快速写入时间高可靠性高放射线耐性汽车
物联网物联网 (IoT) 将众多智能设备利用互联网协议技术连接起来，使它们能够相互通信。从物联网的应用程序来看，随着通过多种传感器收集处理数据并以二次电池等电池为动力进行运作的产品不断增加，对低电力存储器的需求也正在增大。 与其他现有存储器不同，MRAM消耗电流低、耐久性高，因而是非常适合物联网的存储器。MRAM的主要优势如下近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）低功耗保证突发断电时的安全...
企业数据存储（RAID系统）RAID（Redundant Array of Inexpensive Disks）是一种结合了两个或多个物理存储设备（HDD、SSD）的数据存储结构，它在被连接的系统中，被转换成识别为单个驱动器的逻辑单元（阵列）。 RAID控制卡的日志存储器存放重要数据，如日志和数据写入完成、奇偶校验写入、错误日志等。在断电的情况下，控制器查询日志内存，以了解从哪里开始恢复。...
医疗器械便携式超声波扫描仪是一种检测从物体反射的声波并将其转换为实时图像的设备。通常使用配置存储器和图像/报告存储器两种类型的存储器。配置存储器存储来自外部硬件的标识和配置信息，图像/报告存储器存储图像和相应的报告数据。这些存储器即使在突然断电的情况下，也必须能够安全地保存数据。 MRAM是最理想的存储器，即使在电源故障的情况下也能防止数据丢失，既可以用作配置存储器，也可以用作图像/报告存储...
游戏设备弹珠机和老虎机等游戏机通常使用电池供电的SRAM来存储运行时处理数据、机器状态、配置数据和重要数据（赔率、乘数、游戏单词的比赛记录）。这些数据即使在突然停电时，也必须安全存储。 MRAM 提供近乎无限的写入耐久性和快速的擦写读取周期。与SRAM不同，它不需要电池或超级电容器，这使其成为游戏设备的理想备份存储器。MRAM的主要优势如下与SRAM不同，无需电池及电池插座可在停电即时备份长...
数据记录数据记录是如下持续、反复地将重要数据保存于设备的过程。– 系统内外部发生的事件– 使用历史 – 环境参数 – 机器状态 – 用于分析目的的其他数据因需要持续、反复地保存数据，内存需要快速的写入速度与高耐久性。MRAM的主要优势如下与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座与nvSRAM不同，无需电容器写入速度快近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）断电即时数据备份EDR（事件数...
工业机械工业设备通常即使在恶劣的操作环境中，也需要防止数据丢失和长期保存数据。数据还必须保证在停电时快速安全地获得备份。 能够充分执行该作用的存储器，在工业设备中至关重要。MRAM的主要优势如下与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座无需nvSRAM所需的电容器保证突发断电时的安全，恢复时间短长期数据保存（10 年）保密功能工业用PCPLCHMI
智能电表通过多种有线和无线网络传输电表数据，使电力公司能够准确地实时监控电力使用情况。电力公司通过这样的实时数据，监控使用量，检测异常情况，从而提高效率并降低成本。 由于智能电表需要连续记录数据，因此需要高耐用性的内存。此外，随着OTA（Over The Air：通过无线通信进行S/W升级）功能的加入，内存的快速写入速度变得更加重要。 MRAM是最理想的存储器，能够同时满足智能电表对高耐久性...
集微网消息，据eeNews报道，恩智浦和台积电即将联合将汽车MRAM（磁性随机存取存储器）推向市场。目的是将此类存储器采用节省空间的FinFET技术集成到恩智浦的S32汽车微控制器系列中。根据恩智浦的说法，MRAM可以在大约3秒内更新20MB的代码——比当今的标准技术闪存快得多，后者需要大约1分钟来更新相同数量的数据。恩智浦汽车MCU产品管理高级总监Ed Sarrat解释说，这最大限度地减少...
5月16日消息，汽车芯片大厂恩智浦半导体 (NXP) 宣布携手台积电，推出业首款采用 16nm FinFET工艺的车用嵌入式MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存储器）。恩智浦表示，随着汽车制造商向软体定义汽车 （software-defined vehicle；SDV） 转型，车厂需要在单一硬体平台上支持多世代的软件更新。结合恩智浦的高效能 S32...
S3A1004R0M-AI1A:l Supports Serial Peripheral Interface with Mode 0and Mode 3- Single SPI (1-1-1, 1-1-2, 1-2-2, 1-1-4, 1-4-4)- Dual SPI (2-2-2)- Quad SPI (4-4-4)l Operating Frequency- Single Data Ra...
MRAM是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin MRAM高速非易失性存储器，使用寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。MRAM这是一种基于隧穿磁阻效应的技术，MRAM所选工艺比现有工艺DRAM和更复杂，成本会更高。但它有现有的SRAM和DRAM没有的特点，随着应用规模的逐渐扩大，成本会逐渐降低。磁阻随机存储器是一种采用新技术的...
三星的研究人员声称已经开发出有史以来最小、最节能的非易失性随机存取存储器。该团队采用该公司的 28nm 嵌入式 MRAM，并将磁性隧道结扩展到 14nm FinFET 逻辑工艺。研究人员将在 12 月召开的国际电子器件会议上报告这一点，改论文的名称是World’s most energy-efficient MRAM technology for non-volatile RAM appli...
项目概况MRAM存内计算电路设计与建模仿真软件服务采购项目（第二次） 招标项目的潜在投标人应在http://www.oitccas.com/ 招标在线频道获取招标文件，并于2022年12月19日 14点30分（北京时间）前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号：OITC-G220290828-1项目名称：MRAM存内计算电路设计与建模仿真软件服务采购项目（第二次）预算金额：400.00000...
半导体技术持续更新迭代，MCU也要与时俱进。为了更好地迎接未来趋势，有的厂商选择从内核下手，比如，由Arm Cortex-M内核转向RISC-V内核；也有选择集成AI，通过在MCU中加入AI加速器，让MCU更加智能；还有一种就是本文将主要介绍的，集成新型存储器。MCU作为一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存储器，以及专用外设的芯片，最常见的存储器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易...
