摘要：12月5日消息，据印度媒体indiatimes报道，总部位于英国的SRAM & MRAM Group副主席Gurujee Kumaran Swami于当地时间上周六在与印度奥里萨邦政府在MIO秘密会议后宣布，该集团将在奥里萨邦投资2万亿卢比（约合人民币1723亿元），以在该州设立一个半导体工厂。12月5日消息，据印度媒体indiatimes报道，总部位于英国的SRAM & MRAM G...
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似,自旋阀的工作机理如下。 1、自旋阀电子作为电流的载体,用的是电子的电荷,也就是说电流是电子电荷的输运。但电子不仅有...
MRAM 即磁阻式随机访问存储器的简称。MRAM 集成了 SRAM 的高速读写性能与闪存存储器的非易失性，它可以作为一个单一的存储器件，用于既需要快速、大量存储数据，又需要断电后保持数据，并可快速恢复的系统中。MRAM简介MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化。不像DRAM为了耍保持数据需i...
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目前有数家芯片制造商，正致力于开发名为STT-MRAM的新一代存储器技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规存储器的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在芯片中提供非挥发性储存的功能。...
存储器是现代信息系统的关键组件之一，已经形成了一个主要由DRAM与NAND Flash组成的超过1600亿美元的市场。同时，新型存储开始逐步迈向产业化，将有可能重塑未来存储市场格局。我国正在大力发展存储产业，提前布局新型存储将是建立未来存储产业生态的重要部分。新型存储主要指相变、磁变、阻变存储目前，受到广泛关注的新型存储器主要有3种：相变存储器(PCM)，以英特尔与美光联合研发的3D Xpo...
MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器( NVRAM )技术，从20世纪90年代以来开始开发就已经取得惊人的进展。MRAM存储器最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器，并成为一个真正的“通用存储器”。实用型MRAM芯片主要利用隧道磁阻（TMR)效应，之前的巨磁阻( GMR...
应用前景存储芯片的新高地边缘计算中的应用非易失MRAM在SCM中的应用价值--华为加快布局闪存存储的步伐MRAM的明显优势技术发展前景分析原理介绍工作原理分析新一代存储器技术发展提高写入速度的新方法--IMEC高性能嵌入式MRAM晶圆级亚百纳米STT-MRAM器件内存升级GF 12nm 工艺关键技术关键工艺步骤FinFET器件中的STT-MRAM存储单元制作发展方向新的单元结构--USMR(...
xSPI接口MRAM是世界上性能最高的持久性存储器，基于新的JEDEC扩展串行外设接口(xSPI)标准接口完成每秒400兆字节的全读写带宽。容量为8Mbit到64Mbit，主要用于工业物联网和嵌入式系统。xSPI接口MRAM提供了一个突破性的性能水平和使用的应用方法。这是基于广泛的SPI/QSPI/xSPI行业标准是通过带来极高的带宽、低延迟和非易失性写入能力来实现的。这些功能将增强和简化几...
SPI MRAM是理想的存储器解决方案，适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入，使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器中传统并行数据总线接口的有吸引力的替代方案。使用netsol的专利STT-MRAM技术，读取和写入都可以...
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国...
瑞萨电子公司今天宣布，它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 的电路技术，以下简称 MRAM）测试芯片。该芯片具有快速读写操作，采用 22 纳米工艺制造。测试芯片包括一个 32 兆位 (Mbit) 嵌入式 MRAM 存储单元阵列，可在 150°C 的最高结温下实现 5.9 纳秒 (ns) 的随机读取访问，以及 5.8 兆字节/秒的写入吞吐量（ MB/秒）。瑞萨...
据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在...
据国外媒体报导，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年稍晚开始提供嵌入式存储器ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此举代表市场的巨大转变，因为到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(Write Cache)等。全球主要晶圆代工厂计划在2017年...
兆易创新（nor flash）的爆发现今，nor flash 在嵌入式存储市场占据着半壁江山，其广泛应用于工业、汽车、电信、消费电子等领域。在贸易保护主义盛行，全球芯片市场供不应求的时代背景下，国内主攻 nor flash 和 MCU 的兆易创新迎来了爆发的时机。新型存储企业（Mram）的崛起除此之外，国内一些创新型存储企业，如中电海康、浙江驰拓、上海磁宇等，也在积极布局Mram 产业，并逐...
中国存储行业加速追赶，但种种原因仍是制约中国发展的关键。日前韩媒有关苹果采购长江存储NAND芯片的新闻再次掀起中 美半导体行业之争，苹果回应：暂未在任何产品中使用其芯片，但正在评估长江存储的NAND芯片，其用于在中国销售的部分iPhone。2022年10月7日，美国商务部工业与安全局（BIS）宣布修订出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展存储芯片能力及相关军事能力。此次修订中，新增限制出口具有...
存储芯片的新高地（嵌入式>>>自旋式）三星自 2019 年起，开始量产 28nm 嵌入式 MRAM，在后面两三年内，将投入更大规模的量产。不甘落后的 SK海力士、英特尔、格芯也掌握了 22nm 嵌入式 MRAM 的量产工艺。但是，随着各公司研发，在 MRAM 进入 10nm 工艺制程之后，摩尔定律似乎就失效了，处理器性能翻一倍所需时间由原来的两年延至三年，半导体芯片产业发展遇到了技术瓶颈。而...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) [1] 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。研究背景存储器是计算机体系结构中的重要组成部分，对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。然而，存储器难...
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM特性●MRAM读/写周期时间:35ns;●真正无限次擦除使用;●业内最长的寿命和数据保存时间——超过20年的非易失特性;●单芯片最高容量为16Mb;●快速、简单接口——16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接...
