News Detail

兆易创新获发明专利授权:“一种存储器及其制备方法”

20
Issuing time:2023-12-09 10:35Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/

据企查查数据显示,兆易创新近日获得一项发明专利授权,专利名为“一种存储器及其制备方法”,专利申请号为CN201910305735.8,授权日为2023年12月1日。

专利摘要:本发明公开了一种存储器及其制备方法。其中,存储器包括:衬底基板,衬底基板包括多个有源区和多个浅槽隔离区,有源区和浅槽隔离区间隔设置;位于浅槽隔离区对应的衬底基板一侧的隔离层,隔离层内形成有凹槽结构;位于有源区对应的衬底基板一侧的第一浮栅;位于第一浮栅和凹槽结构内壁表面上的第二浮栅,第二浮栅在凹槽结构的底面位置断开连接;位于第二浮栅上的介质层,介质层覆盖暴露在第二浮栅外的隔离层;位于介质层上的控制栅。本发明实施例提供的存储器具有功耗低的优势。

今年以来兆易创新新获得专利授权40个,较去年同期减少了47.37%。结合公司2023年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了4.77亿元,同比减4.07%。


Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel: +86-0755-84866816  
Tel: +86-0755-84828852
Mail:  kevin@glochip.com
Web:  www.chip.com.hk
Rm401.1st Building, Dayun software Longgang Avenue, Longgang district,Shenzhen
全球芯微信公众号
Samsung Micron SKhynix Kingston Sandisk  Kioxia Nanya Winbond MXIC ESMT Longsys Biwin HosgingGlobal  BoyaMicro  Piecemakers Rayson  Skyhigh  Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP SSD Module